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华微电子:高端功率半导体技术提升,有望实现国产替代突破

时间:17-03-26 00:00    来源:安信证券

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近期我们对产业链进行了动态调研跟踪。

核心观点:

半导体从概念上由分立器件和集成电路构成,功率半导体是分立器件中附加值最高和门槛最高的高附加值产品,目前进口替代和全球市场应用空间均很巨大。公司是专注设计+材料创新,以及特种工艺的“芯片级”功率半导体龙头企业,同时也是技术积累超50年的A股稀缺“自主可控”标的。随着新能源车市场蓬勃发展,以及三代功率半导体进入快速发展投资期,公司预计迎来可持续高速发展周期。

行业高成长+自主可控,国产高端功率半导体厂商机遇期来临。2016年11月29日,国务院公布《十三五国家战略性新兴产业发展规划》,明确将大幅提升新能源车和新能源应用比例,到2020年实现当年产销200万辆以上,累计产销500万辆。而根据中国汽车工业协会数据,去年国内新能源车产销量分别为51.7万和50.7万辆,同比增长51.7%和53%。考虑2020年产销200万辆规划,我们判断2017~2020年新能源车产销量仍将保持至少40.9%以上的年复合增速,行业保持高速成长。

IGBT是新能源车及直流充电桩中核心半导体功率器件,我们认为在新能源车行业快速发展的驱动下,国内IGBT及其IPM(智能功率模块)市场需求将实现同步快速增长。

目前,IGBT和IPM在应用中已作为单独的功能模块,其主要被IR、意法半导体、英飞凌等国际大厂占据,国内厂商相对落后,替代空间广阔。目前高端武器装备电磁化发展趋势明确,核心功率半导体器件国产替代已迫在眉睫。我们认为在行业高成长以及自主可控大趋势下,国内高端功率半导体厂商将迎来历史机遇期,率先实现IGBT等高端器件国产化突破的厂商将获得高速发展。

行业层面,军工行业对功率半导体器件需求日益增强,高端武器装备电磁化发展趋势明显;新型军事力量的建设,军费增长将更加倾斜于高端武器装备;国家“自主可控”的要求,推动我国核心功率半导体器件实现进口替代,多种因素驱动军工功率半导体增/存量市场巨大。

研发投入持续加大,IGBT等核心技术有望实现突破。公司持续加大研发投入,逐步提升产品技术含量及附加值。根据2016年半年报,2016年上半年公司研发支出4346.7万元,同比增长43.51%;研发支出营收占比达7.11%,相比去年同期提高1.6个百分点。在持续研发投入促进下,第六代IGBT、MOSFET、TRENCHSBD、FRD及高端应用SCR产品系列化推进顺利。特别在IGBT生产制造工艺方面,公司取得长足进步并已具备稀缺“实际量产落地”能力。

我们认为公司既具备功率半导体器件生产制造长期工艺积累,又紧跟国际先进制造工艺,把握行业发展趋势。公司IGBT等高端产品量产工艺、技术已具备较高水平,预计有望在高端半导体功率器件领域实现真正意义上的国产突破。

第三代功率器件市场潜力巨大,公司具备相关技术升级主客观条件。

第三代功率半导体与现有硅基高端产品在材料、结构、工艺、封装等核心技术环节具备明显传承性。公司IDM模式下能够满足新材料器件发展需要,技术向上延伸水到渠成,技术升级发展预期充分。

投资建议:首次给予买入-A投资评级。我们预计公司2016年-2018年净利润分别为0.63亿、1.51亿、2.56亿元,净利润增速分别为45.9%、140.0%、70.2%,对应EPS分别为0.09、0.20、0.35元/股,行业资源整合趋势给予公司较强内生外延发展预期;军工/新能源亟待突破,高附加值产品持续优化获利能力;功率半导体战略新兴格局下,“大行业小公司”现状给予足够空间;鉴于未来业绩高成长和PEG考量,以及潜在突破行业估值中枢较高,给予2017年动态PE59X,6个月目标价为12.04元。

风险提示:宏观经济下行,新应用领域产品扩展进度不及预期.